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4.3接临时负载时,必须装有专用的关和熔断器。4.4二次回路通电试验时,为防止由二次侧向一次反变压,除将二次回路断外,还应取下一次熔断器。
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精度高,稳定性好。且具有以下特点:温度自动控制系统\电机调速控制系统\单晶直径自动控制系统\单晶熔体自动 系统\单晶重量及长度显示能\各拉晶有关参数包括籽晶轴,坩埚轴的转动速度,晶升和埚升速度,炉内压力,冷却部位温度等数据都采用数字显示仪表指示,两笔记录仪记录温度和籽晶拉速,能稳定的控制生长直径5~8英寸,直径均匀的无错位单晶。采用软籽晶轴,具有独特的晶体提升机构。的磁流体密封技术。能全电控系统采用微机控制新型翻板阀结构,拱形封头式炉盖结构,考虑热变形采用浮动提升结构,防止卡死现象。单晶提拉采用可承受150Kg不锈钢丝软轴,电控系统采用微机控制,红外测径技术,进口电动及驱动器,保生长大扭矩高稳定性。IGBT在 零电压条件下关断,同样也能减小关断损耗,但是MOSFET在零电流条件下通时,并不能减小容性通损耗。谐振转换器(ResonantConverter ,RC),准谐振转换器(Qunsi-Tesonant Converter,QRC),多谐振转换器(Mu1ti-ResonantConverter,MRC),零电压关PWM转换器(ZVS PWM Converter).。