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这是单晶炉和拉晶工艺。为了配合di76．Zmm器件生产线的发展，我所研制了国内台15～30公斤的DL。78型单晶炉［‘］，并在该单晶炉上研究了48Omm硅单晶的控制工艺［‘］。在控制大直径硅单晶的过程中，涉及的面比较广，尤其是从我国原有1公斤，th3orum级的基础上跳跃到12公斤，680mm硅单晶的拉制工艺，需要研究讨论的问题很多，例如，热场的设计。

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采用软籽晶轴。精度高，稳定性好。且具有以下特点：温度自动控制系统\电机调速控制系统\单晶直径自动控制系统\单晶熔体自动 系统\单晶重量及长度显示功能\各拉晶有关参数包括籽晶轴。功能全电控系统采用微机控制坩埚轴的转动速度具有独特的晶体提升机构。的磁流体密封技术保生长大扭矩高稳定性。热场系统和炉内各部。炉体部件采用316L不锈钢，法兰整体锻造，经过振动应力，缺陷检查和探伤检验及氦质朴检漏仪检漏。可在热场维持工艺温度的情况下，取出晶体，更换籽晶和补充加料进行连续拉晶。液压传动装置能准确的完成主炉室和副炉室的启，炉室，副炉室上升到位后对称旋出，保主机稳定可靠。适应半导体工艺需求。坩埚升降及旋转部件:使用超大铸铁立柱，双滚动直线，精密滚珠丝杠以及进口等功能件组合设计，确保坩埚系统在超重超低速工况下长期平稳运行。提高稳定性。支撑柱在炉体支撑的上面，便于下面设备的维护。炉筒升降采用丝杠提升技术，简便干净。全自动控制系统采用模块化设计，维护方便，可靠性高，抗干扰性好。双摄像头实时采集晶体直径信息。液面测温确保下籽晶温度和可重复性。炉内温度或加热率控制方式可选，保控温精度。质量流量计控制氩气流量。高精度真空计结合电动蝶阀实时控制炉内真空度。单晶硅生长炉的特点HD系列硅单晶炉的炉室采用3节设计。便于装料和维护等。炉筒升降支撑采用双立柱设计上筒和上盖可以上升并向两边转动上称重传感器用于晶棒直径的辅助控制。伺服电机和步进电机的混合使用，即可满足转动所需的扭矩，又可实现转速的控制。质量流量计控制氩气流量。